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新聞詳情
IGBT模塊化平臺(tái)在先進(jìn)的功率中的應(yīng)用
日期：2025-04-24 13:45
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摘要：
IGBT模塊化平臺(tái)能夠提高很多功率設(shè)備系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)效率，特別是其中一些非常新穎的系統(tǒng)。這種平臺(tái)能夠?yàn)楫a(chǎn)品的應(yīng)用帶來(lái)很多益處，包括：軟開(kāi)關(guān)大功率逆變器、帶有減少直流電容組并且增加可靠性的AC/AC變換器、多電平模塊化的可升級(jí)的大功率逆變器以及由一個(gè)大功率低頻變換器和一個(gè)小功率高頻多功能負(fù)載調(diào)節(jié)器而構(gòu)成的高性能、低成本的功率變換系統(tǒng)。
使用賽米控的由先進(jìn)的開(kāi)關(guān)模式功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及可實(shí)現(xiàn)的單板多模塊化的SEMIX模塊化平臺(tái)，可以設(shè)計(jì)制造出平均故障間隔時(shí)間達(dá)80,000小時(shí)(10年)的現(xiàn)代的、高可靠性的逆變器。 SEMIX就是賽米控產(chǎn)品主要目標(biāo)的實(shí)例，即針對(duì)特定的應(yīng)用領(lǐng)域減少系統(tǒng)總的功耗，其先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù)使系統(tǒng)的損耗降到*低是從器件級(jí)開(kāi)始的。低功率損耗意味著更高的工作效率、節(jié)省能量、簡(jiǎn)化散熱、從而實(shí)現(xiàn)更為緊湊的、體積更小的、重量更輕的、成本更低的系統(tǒng)。在熱處理過(guò)程中消除不必要的熱阻以及提高硅片的性能一樣重要。溝槽門(mén)極元器件中已經(jīng)使用了很多當(dāng)前先進(jìn)的技術(shù)以減少在模塊上的、連接部分的、磁性材料以及熱處理部分的靜態(tài)損耗。
更好的磁性材料和更高的開(kāi)關(guān)頻率都有助于實(shí)現(xiàn)更為緊湊的設(shè)計(jì)，因此人們就追求模塊更高的工作頻率，由此產(chǎn)生的問(wèn)題就是在半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件中開(kāi)關(guān)損耗就變成了主導(dǎo)因素。在追求更高效率的過(guò)程中，器件的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗、吸收電路的損耗、電機(jī)絕緣上承受的dv/dt應(yīng)力、電磁兼容問(wèn)題、高開(kāi)關(guān)頻率下長(zhǎng)電纜連接的電機(jī)端的電壓提升效應(yīng)以及能量質(zhì)量等問(wèn)題都要通過(guò)硅芯片技術(shù)和開(kāi)關(guān)元件的拓?fù)浼夹g(shù)來(lái)解決。開(kāi)關(guān)損耗*小的軟穿通(SPT)模塊可工作在高開(kāi)關(guān)頻率下。器件在零電壓下導(dǎo)通(ZVS)或零電流下關(guān)斷(ZCS)的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)有助于進(jìn)一步減小或消除上述問(wèn)題。
使用賽米控的由先進(jìn)的開(kāi)關(guān)模式功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及可實(shí)現(xiàn)的單板多模塊化的SEMIX模塊化平臺(tái)，可以設(shè)計(jì)制造出平均故障間隔時(shí)間達(dá)80,000小時(shí)(10年)的現(xiàn)代的、高可靠性的逆變器。 SEMIX就是賽米控產(chǎn)品主要目標(biāo)的實(shí)例，即針對(duì)特定的應(yīng)用領(lǐng)域減少系統(tǒng)總的功耗，其先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù)使系統(tǒng)的損耗降到*低是從器件級(jí)開(kāi)始的。低功率損耗意味著更高的工作效率、節(jié)省能量、簡(jiǎn)化散熱、從而實(shí)現(xiàn)更為緊湊的、體積更小的、重量更輕的、成本更低的系統(tǒng)。在熱處理過(guò)程中消除不必要的熱阻以及提高硅片的性能一樣重要。溝槽門(mén)極元器件中已經(jīng)使用了很多當(dāng)前先進(jìn)的技術(shù)以減少在模塊上的、連接部分的、磁性材料以及熱處理部分的靜態(tài)損耗。
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