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可控硅的鑒別 可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。可控硅和只有...發(fā)布時間：2015-05-14 點(diǎn)擊次數(shù)：841 次
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IGBT模塊注意事項(xiàng) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意...發(fā)布時間：2015-05-11 點(diǎn)擊次數(shù)：869 次
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FERRAZ熔斷器的結(jié)構(gòu)介紹 FERRAZ熔斷器是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器...發(fā)布時間：2015-04-20 點(diǎn)擊次數(shù)：852 次
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IXYS可控硅原理 IXYS可控硅是IXYS可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電...發(fā)布時間：2015-03-30 點(diǎn)擊次數(shù)：868 次
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熔斷器熔體的額定電流可按以下方法選擇 熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過規(guī)定值時，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保...發(fā)布時間：2015-01-25 點(diǎn)擊次數(shù)：1450 次
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IGBT模塊散熱技術(shù) IGBT模塊散熱技術(shù)； 散熱的過程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;4散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法1總...發(fā)布時間：2015-01-23 點(diǎn)擊次數(shù)：902 次
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DYNEX（二極管）的正負(fù)極判別方法 在實(shí)際led節(jié)能燈焊接過程中，常遇到如何辨認(rèn)DYNEX（二極管）的正負(fù)極，這部尤其重要，燈亮不亮就在他了！ **種觀察法。從側(cè)面觀察兩條引出線在管體內(nèi)的形狀．較小的是正極．其次看引腳長短也可以看出來，發(fā)...發(fā)布時間：2015-01-10 點(diǎn)擊次數(shù)：1078 次
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DYNEX（二極管）的工作原理 DYNEX（二極管）為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而...發(fā)布時間：2015-01-08 點(diǎn)擊次數(shù)：764 次
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INFINEON模塊的介紹 INFINEON模塊塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。*早是先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 ...發(fā)布時間：2015-01-06 點(diǎn)擊次數(shù)：880 次
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ABB可控硅的晶閘管特性 為了能夠直觀地認(rèn)識ABB可控硅的晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在...發(fā)布時間：2014-12-20 點(diǎn)擊次數(shù)：853 次
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ABB可控硅的特征（二） 1、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率 當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況*易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電...發(fā)布時間：2014-12-17 點(diǎn)擊次數(shù)：741 次
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ABB可控硅的特征（一） 1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)ABB可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時，可...發(fā)布時間：2014-12-16 點(diǎn)擊次數(shù)：861 次
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IGBT模塊的程序設(shè)計(jì)術(shù)語 在程序設(shè)計(jì)中，為完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由編譯程序、裝配程序等處理的獨(dú)立程序單位；或指大型軟件系統(tǒng)的一部分。 IGBT模塊,又稱構(gòu)件,是能夠單獨(dú)命名并獨(dú)立地完成一定功能的程序語句的...發(fā)布時間：2014-12-14 點(diǎn)擊次數(shù)：806 次
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IGBT模塊的傳統(tǒng)保護(hù)模式 IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOS...發(fā)布時間：2014-12-13 點(diǎn)擊次數(shù)：807 次
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IGBT模塊的發(fā)展歷程 1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種...發(fā)布時間：2014-12-09 點(diǎn)擊次數(shù)：830 次
