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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的區(qū)別 DYNEX（快恢復(fù)二極管）是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200...發(fā)布時(shí)間：2014-09-21 點(diǎn)擊次數(shù)：848 次
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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) DYNEX（快恢復(fù)二極管）的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承...發(fā)布時(shí)間：2014-09-19 點(diǎn)擊次數(shù)：883 次
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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的介紹 DYNEX（快恢復(fù)二極管）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。DYNEX（快...發(fā)布時(shí)間：2014-09-18 點(diǎn)擊次數(shù)：976 次
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IGBT模塊的發(fā)展歷史 1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT模塊概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MO...發(fā)布時(shí)間：2014-09-14 點(diǎn)擊次數(shù)：807 次
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IGBT模塊的輸出特性與轉(zhuǎn)移特性 IGBT模塊的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT...發(fā)布時(shí)間：2014-09-13 點(diǎn)擊次數(shù)：1989 次
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IGBT模塊的檢測(cè) 判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量...發(fā)布時(shí)間：2014-09-10 點(diǎn)擊次數(shù)：873 次
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ABB可控硅的分類 ABB可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二...發(fā)布時(shí)間：2014-08-24 點(diǎn)擊次數(shù)：747 次
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ABB可控硅的相關(guān)結(jié)構(gòu) 大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電...發(fā)布時(shí)間：2014-08-23 點(diǎn)擊次數(shù)：791 次
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ABB可控硅的用途 普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。ABB可控硅如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以*簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周...發(fā)布時(shí)間：2014-08-19 點(diǎn)擊次數(shù)：856 次
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IGBT模塊如何做好保護(hù) 眾所周知，IIGBT模塊是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會(huì)...發(fā)布時(shí)間：2014-08-08 點(diǎn)擊次數(shù)：975 次
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IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng) IGBT模塊非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～...發(fā)布時(shí)間：2014-08-07 點(diǎn)擊次數(shù)：797 次
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IGBT模塊的測(cè)量 靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào)...發(fā)布時(shí)間：2014-08-06 點(diǎn)擊次數(shù)：805 次
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IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注...發(fā)布時(shí)間：2014-08-01 點(diǎn)擊次數(shù)：840 次
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高頻淬火設(shè)備中IGBT模塊使用的注意要點(diǎn) 現(xiàn)代高頻淬火設(shè)備一般多采用IGBT模塊，通過(guò)IGBT模塊可以在提高設(shè)備利用率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)節(jié)能省點(diǎn)。IGBT模塊是設(shè)備中的核心部分。下面小編來(lái)詳細(xì)介紹IGBT模塊的使用以及注意事項(xiàng)： IGBT模塊的電壓規(guī)...發(fā)布時(shí)間：2014-07-10 點(diǎn)擊次數(shù)：909 次
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IGBT模塊的常識(shí) IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）的簡(jiǎn)稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和B...發(fā)布時(shí)間：2014-07-09 點(diǎn)擊次數(shù)：969 次
